팹 내에서는 12인치 크기의 웨이퍼가 있으며, 이 웨이퍼는 포토레지스트를 가열하는 과정을 기다리고 있습니다. 여기서 중요한 것은 표면 온도의 변동입니다. 단 1°C의 온도 변화만 있어도 선의 굵기 제어와 생산성에 문제가 생길 수 있습니다. 따라서 필요한 것은 빠르게 열을 전달하면서도 입자를 일으키지 않는 열원입니다.
기술적으로 중요한 점들 저희의 단파 적외선 램프는 열을 직접 포토레지스트와 기판에 전달하기 때문에 대류 현상을 기다릴 필요가 없습니다. 단파 적외선 영역에서의 최대 방사량은 유기물질과 실리콘에 의한 강한 흡수를 위해 조절되어 있어, 30초 이내에 목표 온도에 도달할 수 있습니다. 웨이퍼 전체의 온도 균일성은 ±0.1°C 이내로 유지되며, 작업마다의 반복성도 ±0.2°C 이내로 우수합니다.
클린룸의 등급도 1–100등급을 그대로 유지됩니다. 석영 커버와 반사경의 구조는 입자가 공정에 들어가는 것을 막도록 설계되어 있으며, 5,000시간 이상 사용해도 출력 성능이 5% 이하로만 감소합니다.
리소그래피에서 왜 이 방식이 효과적인가? 리소그래피에서는 부드러운 가열 방식으로 용매를 제거하고, 강력한 가열 방식으로 이미지를 고정시킵니다. 단파 적외선을 사용하면 필름이 손상되지 않으면서도 용매를 깨끗하게 제거할 수 있습니다. 이로 인해 정상파나 스커밍 현상이 줄어듭니다. 반응 속도가 빠르기 때문에 작업 간의 대기 시간이 줄어들고, 주기 시간도 단축됩니다. 또한, 핵심 치수 제어도 유지됩니다.
가열은 필요할 때만 이루어지므로 에너지 소비가 줄어듭니다. 그 결과, 재작업이 줄어들고, CD 성능도 안정적으로 유지됩니다. 또한, 열 관리도 용이해집니다.
주의해야 할 사항들 설치 시에는 광학적 정렬과 간격 조절이 매우 중요합니다. 이를 잘못하면 과열 현상이 발생할 수 있습니다. 단파 적외선의 강도가 매우 높으므로, 작업자의 안전을 위해 안전장치와 차폐 장치가 반드시 필요합니다.
이 램프들은 표준적인 반도체 장비와 호환되지만, 통합 시에는 배기, 냉각, 전압 안정성 등을 고려해야 합니다. 이러한 요소들을 잘 관리하면 온도 균일성도 충분히 유지됩니다.