製造現場では、12インチのウェーハが置かれており、フォトレジストの加熱処理を待っている。ここで重要なのは、表面の温度が1℃でも変動すると、線幅の制御や歩留まりに悪影響を与えるということです。必要なのは、素早く熱を与え、それを定着させつつ、粒子を一切発生させないような加熱方法です。
技術的に重要な点 当社の短波長赤外線ランプは、熱を直接フォトレジストや基板に伝えます。対流を待つ必要はありません。SWIR帯域でのピーク放射により、有機膜やシリコンに対して強力な吸収が得られるため、30秒以内に設定温度に到達します。ウェーハ全体での温度均一性は±0.1℃以内であり、工程ごとの再現性も±0.2℃以下です。
クリーンルームのクラス1～100が維持されます。石英製のケースや反射器の形状により、粒子が工程内に入らないようになっており、5,000時間以上使用しても出力の低下は5％未満です。
なぜリソグラフィーに適しているのか リソグラフィーにおいて、ソフトベイクは溶剤の除去を行い、ハードベイクは画像を固定します。SWIRを使用すると、フィルムが傷つくことなく溶剤が除去され、定在波や汚れが減少します。応答速度も速いため、処理間の待ち時間が短縮され、サイクルタイムが短縮されます。また、重要な寸法制御も維持されます。
加熱はオンデマンドで行われるため、エネルギー消費が削減されます。その結果、再作業が減り、CD性能が安定し、計画しやすい熱管理が可能になります。
注意すべき点 設置時には、光学的位置合わせと隙間の確認が重要です。これらが間違っていると、ホットスポットが発生します。SWIRの強度が高いため、操作員の安全のためにも、セーフティ装置やシールドが不可欠です。
これらのランプは標準的な半導体装置のインターフェースに適合しますが、排気や冷却、電圧の安定性も考慮する必要があります。これらを適切に管理すれば、温度の均一性が保たれます。