Üretim alanında, yıkama işleminden sonra bekleyecek zamanınız yoktur. Kalan su, partiküllerin oluşmasına neden olur ve foto direncin etkisini azaltır; bu da litografi işlemi başlamadan önce verim kaybına yol açar. Hızlı kurutma işlemleri ise üretim hızını düşürür ve istenmeyen değişkenliklere neden olur. Bu sorunları ortadan kaldırmak için hızlı kuruyan bir wafer lambası geliştirdik.
Önemli olanlar
Suyun emilimine uygun olarak ayarlanmış kısa dalga ve orta dalga kızılötesi ışınlar kullanılır; böylece enerji hızlı ve temas gerektirmeden yüzeye ulaşır. Aktif bölgede waferin sıcaklık derecesi ±0,1°C civarında tutulur; bu da stres altında kalmaması gereken katmanların korunmasını sağlar. Bir işlemden diğerine geçişte sıcaklık tekrarlanabilirliği ise ±0,5°C civarındadır; böylece yumuşak pişirme ve sert pişirme işlemleri daha doğru şekilde gerçekleşir.
Bu cihaz, 1. sınıftan 100. sınıfa kadar olan temiz oda ortamlarında kullanılabilir. 0,1 mikron ve daha küçük boyuttaki partiküllerin oluşmadığı doğrulanmıştır. Sahada bu lamba 24/7 çalışır ve planlanmayan arızalar olmaz. 5.000 saat üzerindeki çalışma süresince çıkış stabilitesi %2 civarında kalır.
Neden üretim alanında kullanılır?
Yıkama işleminden hemen sonra lamba, yüzeydeki suyu saniyeler içinde kurutur. Böylece wafer doğrudan foto direncin pişirileceği bölüme gönderilebilir. Bu sayede kaplama işlemi için gerekli olan zaman azalır ve gereksiz termal işlemlerden kaçınılmış olur.
Isı kontrolü düzgün olduğundan, yumuşak pişirme ve sert pişirme işlemleri daha hassas şekilde gerçekleşir. Böylece daha iyi bir CD kontrolü ve daha iyi bir aşındırma seçiciliği elde edilir. Sonuç olarak saat başına daha fazla wafer üretilir ve nemden kaynaklanan atık miktarı azalır.
Sahadaki gerçekler
Lambanın 24 VDC güç kaynağına ihtiyacı vardır ve odanın soğutulması için özel bir havalandırma sistemi gereklidir. Önde gelen kaplama platformları için uyumlu modüller mevcuttur. Waferin konumlandırılması ±0,5 mm hassasiyetle yapılır; bu yüzden ilk kurulumu bir saha mühendisinin yapması gerekir.
Kullanım öncesinde, belirli wafer yapılarınıza göre sıcaklık uniformitesini ölçmek için 30 dakikalık bir test yapılması önerilir.